Zn 기반 배위 고분자 나노큐브와 Cu 치환된 Zn 기반 배위 고분자 나노큐브 및 그 합성방법 > 기술리스트 | TMC 홈페이지 G+TMC 기술소개
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Zn 기반 배위 고분자 나노큐브와 Cu 치환된 Zn 기반 배위 고분자 나노큐브 및 그 합성…

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한림대학교 산학협력단
Zn 기반 배위 고분자 나노큐브와 Cu 치환된 Zn 기반 배위 고분자 나노큐브 및 그 합성방법
유효종
1020180009064
바로가기 주소 KIPRIS(DOI) https://doi.org/10.8080/1020180009064
본 발명은 Zn 기반 배위 고분자 나노큐브 (Zn-CPNs)의 형태 제어 가능한 합성방법에 대해 개시한다. [N3] 리간드는 Zn-CPNs의 크기와 형태를 제어하는 조절인자로서 매우 유용하다. 좀 더 중요한 것은 [N3] 리간드가 Zn-CPNs에서 후변형을 통해 Cu 이온 배위결합을 위한 금속결합부위를 제공함으로써 Cu 치환된 Zn-CPNs (Cu_Zn-CPNs)의 합성을 가능하게 했다는 점이다. Cu_Zn-CPNs는 4-나이트로페놀 환원반응에서 좋은 촉매 활성을 나타낸다.